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一种制备高质量ZnO薄膜的新型固相源
引用本文:戴丽萍,邓宏,陈根,陈金菊.一种制备高质量ZnO薄膜的新型固相源[J].半导体学报,2007,28(Z1):271-274.
作者姓名:戴丽萍  邓宏  陈根  陈金菊
作者单位:戴丽萍(电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054);邓宏(电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054);陈根(电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054);陈金菊(电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054)
基金项目:国家自然科学基金 , 四川省应用基础研究计划
摘    要:采用一种新型的单一固相源并利用单源化学气相沉积(SS CVD)技术,在Si(100)上制备出高质量的ZnO 薄膜.采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和热重分析(TGA)表征源的化学和物理特性.FTIR测试表明该源具有新型的化学结构,其结构可用Zn4(OH)2(O2 CCH3)6·2H2O表示;TGA表明该源在常温下稳定,在211℃下能完全分解.所制备的ZnO薄膜采用X射线衍射、扫描电镜、X射线光电子能谱、光致发光谱进行了分析.分析结果表明,采用这种固相源能够制备出高质量的ZnP薄膜.

关 键 词:固相源  SSCVD  ZnO薄膜  光致发光
文章编号:0253-4177(2007)S0-0271-04
修稿时间:2006年12月29

A Novel Solid Source for Fabrication of High Quality ZnO Film
Dai Liping,Deng Hong,Chen Gen,Chen Jinju.A Novel Solid Source for Fabrication of High Quality ZnO Film[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1):271-274.
Authors:Dai Liping  Deng Hong  Chen Gen  Chen Jinju
Abstract:
Keywords:
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