| 覆Os膜M型阴极高发射性能随真空度变化的研究 |
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| 引用本文： | 阴生毅,彭真,王宇,王欣欣.覆Os膜M型阴极高发射性能随真空度变化的研究[J].真空科学与技术学报,2013,33(3). |
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| 作者姓名： | 阴生毅 彭真 王宇 王欣欣 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室 北京100190
2. 中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室 北京100190;中国科学院研究生院 北京100039 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 在覆Os膜M型阴极工作于75 A/cm2高电流密度的情况下,逐级降低真空系统的真空度,测出了阴极电流密度随真空度变化的关系曲线.分析表明,当系统真空度为1.0x 10-5 Pa时,阴极发射开始出现明显下降,下降幅度达1.96％；当真空度为2.07x 10-4 Pa时,阴极电流密度降低10％,阴极寿命接近终了.进一步研究认为,对于微波管而言,通过渗漏进入微波管内的大气特别是其中的氧分子,将阴极表面的Ba+(a)转变为Ba2+,使得阴极表面的发射单元逐步丧失电子发射能力；与此同时,真空度降低带来的离子轰击使得离子斑区域的覆膜层消失,导致该区域功函数升高.两种因素的共同作用,使得微波管中阴极的发射性能逐步下降.
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| 关 键 词： | M型阴极 Os膜 真空度 电子发射 机理 |
Influence of Pressure Increase on High-Emission of Os-Coated M-Type Cathode |
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