| 低压压印制备硅点阵结构的工艺研究 |
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| 引用本文： | 刘玉东,陶伟,王时飞,李鑫,王旭迪. 低压压印制备硅点阵结构的工艺研究[J]. 真空, 2013, 50(4) |
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| 作者姓名： | 刘玉东 陶伟 王时飞 李鑫 王旭迪 |
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| 作者单位： | 合肥工业大学机械与汽车工程学院真空与过程装备工程系,安徽合肥,230009 |
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| 摘 要： | ![]()
高密度、图形规则的硅点阵结构由于其独特的光电性能具有广泛的应用前景.本文介绍了一种以低压压印结合反应离子刻蚀制备硅点阵的方法,即利用PDMS模板通过压印复制获得PMMA掩模结构,用反应离子刻蚀在硅片表面制得高度有序的硅纳米点阵结构.实验和有限元模拟结果表明,低压压印因为毛细作用下光刻胶在模板内的充分填充可以获得良好的图形复制精度和较小的残余胶厚度,因此适于大面积高密度光刻胶结构的均匀复制.
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| 关 键 词： | 硅点阵 纳米压印 反应离子刻蚀 有限元分析 |
Fabrication of high density silicon nanodot array based on soft imprinting theory |
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| LIU Yu-dong , TAO Wei , WANG Shi-fei , LI Xin , WANG Xu-di. Fabrication of high density silicon nanodot array based on soft imprinting theory[J]. Vacuum(China), 2013, 50(4) |
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| Authors: | LIU Yu-dong TAO Wei WANG Shi-fei LI Xin WANG Xu-di |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | silicon nanodot array nanoimprint lithography reactive ion etching finite element analysis |
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