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| MOCVD生长大功率单量子阱激光器 | |
| 引用本文： | 郑联喜,肖智博,韩勤,金才政,周帆,马朝华,胡雄伟.MOCVD生长大功率单量子阱激光器[J].半导体学报,1996,17(5):392-395. |
| 作者姓名： | 郑联喜 肖智博 韩勤 金才政 周帆 马朝华 胡雄伟 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 本文介绍了ＭＯＣＶＤ生长的高质量ＧａＡｓ和ＡｌＡｓ材料以及（Ａｌ）ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ分别限制单量于阱激光器．ＧａＡｓ材料的７７Ｋ迁移率为１２２，７００ｃｍ２／（Ｖ·ｓ），ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ具有均匀陡变的界面．激光器的最大光输出功率为４Ｗ，平均光功率密度达４ＭＷ／ｃｍ２，斜率效率为１．２Ｗ／Ａ，在１Ｗ恒功老化４０００小时电流增加小于１０％，预计寿命可超过两万小时． |
| 关 键 词： | 单量子阱激光器 激光器 MOCVD |
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