| 碲镉汞富汞热处理技术的研究 |
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| 引用本文： | 张传杰,杨建荣,吴俊,魏彦峰,何力.碲镉汞富汞热处理技术的研究[J].激光与红外,2006,36(11):1026-1028,1035. |
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| 作者姓名： | 张传杰 杨建荣 吴俊 魏彦峰 何力 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083 |
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| 摘 要： | 利用自行研制的垂直开管富汞热处理设备，研究了碲镉汞（HgCdTe）富汞热处理技术。经富汞条件下3000C热处理和后续的常规N型热处理，As掺杂的Hg1-xCd，Te分子束外延材料中的As原子已被激活成P型受主，As原子激活率同石英管封管热处理试验的结果基本一致。对包括3in Si基衬底在内的材料退火前后表面形貌进行的比较显示，样品表面形貌可得到很好的保护。研究结果表明，碲镉汞开管富汞热处理技术可用于第三代碲镉汞红外焦平面技术所需大面积多层掺杂异质外延材料的制备。
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| 关 键 词： | 碲镉汞 热处理 砷掺杂 红外焦平面阵列 |
| 文章编号： | 1001-5078（2006）11-1026-03 |
| 收稿时间： | 2006-08-28 |
| 修稿时间： | 2006-08-28 |
Study of Anneal Technology for HgCdTe at Hg-rich Condition |
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| ZHANG Chuan-jie,YANG Jian-rong,WU Jun,WEI Yan-feng,HE Li.Study of Anneal Technology for HgCdTe at Hg-rich Condition[J].Laser & Infrared,2006,36(11):1026-1028,1035. |
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| Authors: | ZHANG Chuan-jie YANG Jian-rong WU Jun WEI Yan-feng HE Li |
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| Affiliation: | Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences Shanghai 200083 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HgCdTe anneal As-doping infrared focal plane array |
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