|
|||||
|
|
| 以氮化硅镁作为生长助剂燃烧合成制备β-氮化硅棒晶 | |
| 摘 要： | 本发明涉及以氮化硅镁作为生长助剂燃烧合成制备β-Si3N4棒晶的方法，属于非氧化物陶瓷棒晶制备领域。其特征在于由商业硅粉和α-SiN粉按质量比为(9～5)：(1～5)的比例混合，外加MgSiN2作为生长助剂，在1～10MPa的氮气中反应制备的。棒晶生长助剂选用新型氮化物氮化硅镁，其加入量为硅粉和α-Si3N4粉混合后总质量的0．5％～15％。在生产过程中，不需预先压块， |
| 关 键 词： | 助剂 制备 氮化硅 β-Si3N4 非氧化物陶瓷 混合 加入量 生长 压块 比例 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |