DC~2GHz的GaAs单片反馈放大器 |
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引用本文: | W.C.Petersen,孙道云.DC~2GHz的GaAs单片反馈放大器[J].微纳电子技术,1982(6). |
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作者姓名: | W.C.Petersen 孙道云 |
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摘 要: | 在低频FET放大器中,电阻反馈是一种卓有成效的方法,采用这种方法能同时获得好的超宽带增益平坦度和输入、输出电压驻波比。与简单的匹配电路相结合,这种电阻反馈电路可以设计通用目的实用放大器,其芯片面积要比用通常的匹配技术的芯片面积小得多。本文所描述的电路芯片面积为1.5×1.5mm,频率为5MHz~2GHz,增益为10dB±1dB,极好的输入和输出电压驻波比,饱和输出功率大于+20dBm。最小噪声偏置下的噪声系数近似2dB,相关增益为9dB。
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