宽禁带半导体氧化镓晶体和器件研究进展 |
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引用本文: | 陶绪堂,穆文祥,贾志泰.宽禁带半导体氧化镓晶体和器件研究进展[J].中国材料进展,2020(2):113-123. |
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作者姓名: | 陶绪堂 穆文祥 贾志泰 |
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作者单位: | 山东大学晶体材料国家重点实验室 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(51321091,51202128,51227002,1323002,51932004) |
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摘 要: | β-Ga2O3作为新型宽禁带半导体材料,近年来受到了人们的广泛关注。β-Ga2O3禁带宽度可达4. 7 e V,相比于第三代半导体SiC和Ga N,具有禁带宽度更大、击穿场强更高、Baliga品质因子更大、吸收截止边更短、生长成本更低的优点,有望成为高压、大功率、低损耗功率器件和深紫外光电子器件的优选材料。此外,β-Ga2O3单晶可以通过熔体法生长,材料制备成本相对较低,有利于大规模应用。重点介绍了β-Ga2O3单晶的生长及工艺优化,然后对晶体加工、性能表征、光电探测及功率器件应用等方面进行了讨论,并展望了β-Ga2O3晶体未来的发展方向。
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关 键 词: | β-Ga2O3 宽禁带半导体 单晶生长 晶体加工 紫外探测器 肖特基二极管 |
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