| FeSiB/Cu/FeSiB多层膜巨磁阻抗效应研究 |
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| 引用本文： | 周勇,禹金强,赵小林,杨春生. FeSiB/Cu/FeSiB多层膜巨磁阻抗效应研究[J]. 真空科学与技术学报, 2001, 21(5): 360-363 |
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| 作者姓名： | 周勇 禹金强 赵小林 杨春生 |
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| 作者单位： | 1. 上海交通大学信息存储研究中心
2. 上海交通大学信息存储研究中心国家教育部 |
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| 摘 要： | 用磁控溅射法在玻璃基片上制备了FeSiB/Cu/FeSiB多层膜,在100kHz～40MHz范围内研究了FeSiB/Cu/FeSiB多层膜中的巨磁阻抗效应特性.当磁场强度Ha施加在薄膜的长方向时,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加,在某一磁场下达到最大值,然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应.在频率为3.2MHz时,在磁场强度Ha=2400A/m时巨磁阻抗变化率达到最大值13.50%;在磁场强度Ha=9600A/m时,巨磁阻抗变化率为-9.20%.巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及发散有关.另外,当磁场施加在薄膜的短方向时,薄膜表现出负的巨磁阻抗效应,在频率为3.2MHz,磁场强度Ha=9600A/m时,巨磁阻抗变化率可达-12.50%.
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| 关 键 词： | 巨磁阻抗效应 非晶FeSiB薄膜 FeSiB/Cu/FeSiB多层膜 |
| 文章编号： | 0253-9748(2001)05-0360-04 |
| 修稿时间： | 2000-10-19 |
Giant Magneto-impedance in Multilayered FeSiB/Cu/FeSiB Films |
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| Zhou Yong,Yu Jinqiang,Zhao Xiaolin,Yang Chunsheng Thin Films and Microfabrication Key Laboratory of State Education Ministry,Information Storage Research Center of Shanghai Jiaotong University,Shanghai. Giant Magneto-impedance in Multilayered FeSiB/Cu/FeSiB Films[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2001, 21(5): 360-363 |
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| Authors: | Zhou Yong Yu Jinqiang Zhao Xiaolin Yang Chunsheng Thin Films Microfabrication Key Laboratory of State Education Ministry Information Storage Research Center of Shanghai Jiaotong University Shanghai |
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| Affiliation: | Zhou Yong,Yu Jinqiang,Zhao Xiaolin,Yang Chunsheng Thin Films and Microfabrication Key Laboratory of State Education Ministry,Information Storage Research Center of Shanghai Jiaotong University,Shanghai,200030 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Giant magneto impedance effect Amorphous FeSiB film Multilayered FeSiB/Cu/FeSiB films |
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