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| 离子注入对分子束外延Hg_(0.68)Cd_(0.32)Te远红外振动模的影响 | |
| 引用本文： | 姬荣斌,李标,方维政,王善力,杨建荣,何力.离子注入对分子束外延Hg_(0.68)Cd_(0.32)Te远红外振动模的影响[J].半导体学报,1999,20(7):569-872. |
| 作者姓名： | 姬荣斌 李标 方维政 王善力 杨建荣 何力 |
| 摘 要： | 我们对用分子束外延（ＭＢＥ）技术生长出的Ｈｇ０．６８Ｃｄ０．３２Ｔｅ薄膜进行了Ｎ离子注入并退火，分别得到了其室温喇曼散射谱及在不同温度下的远红外透射谱．喇曼散射谱可以观察到类ＨｇＴｅ的ＬＯ模的散射和ＴＯ模的散射，原生样品及离子注入样品在９３ｃｍ－１附近有较弱的散射峰，经离子注入后该峰消失；远红外透射谱中分别可以观察到７８ｃｍ－１（Ｘ）、８６ｃｍ－１（Ｉ１）、９３ｃｍ－１（ＬＡ）、１０４ｃｍ－１（Ｐｄ）以及１２１ｃｍ－１（ＴＯ２）、１４３ｃｍ－１（ＴＯ１）、１５６ｃｍ－１（ＬＯ１）等吸收峰，讨论了离子注入及 |
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