| 2～4 GHz连续波120 W GaN内匹配功率器件 |
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| 引用本文： | 张一尘,吴景峰,银军,斛彦生.2～4 GHz连续波120 W GaN内匹配功率器件[J].半导体技术,2021,46(12):937-941,961. |
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| 作者姓名： | 张一尘 吴景峰 银军 斛彦生 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 |
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| 摘 要： | 基于自主研制的0.25 μm高压大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),采用LC低通谐振匹配技术和宽带功率合成技术,利用大栅宽HEMT有源模型以及键合线、电容和管壳等无源模型进行一体化仿真,匹配电路采用LC匹配网络和λ/4微带线将HEMT阻抗提高至50 Ω,最终实现了连续波120 W宽带GaN功率器件.测试结果表明,该器件在36 V漏极工作电压和-2.0V栅极工作电压下,2～4 GHz频带内连续波输出功率大于120 W,功率附加效率大于46％,功率增益大于9.5 dB,二次谐波抑制度大于20 dBc,杂波抑制度大于70 dBc.
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| 关 键 词： | 内匹配器件 功率放大 S波段 GaN 宽带 |
A 2-4 GHz Continuous Wave 120 W GaN Internally Matched Power Device |
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| Zhang Yichen,Wu Jingfeng,Yin Jun,Hu Yansheng.A 2-4 GHz Continuous Wave 120 W GaN Internally Matched Power Device[J].Semiconductor Technology,2021,46(12):937-941,961. |
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| Authors: | Zhang Yichen Wu Jingfeng Yin Jun Hu Yansheng |
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