| 一款GaAs PHEMT超宽带无源双平衡混频器MMIC |
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| 引用本文： | 王贵德,范举胜.一款GaAs PHEMT超宽带无源双平衡混频器MMIC[J].半导体技术,2021,46(6):451-455. |
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| 作者姓名： | 王贵德 范举胜 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 |
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| 摘 要： | 混频器是微波系统关键部件之一.微波通信系统的宽带化和小型化发展趋势对混频器性能提出更高要求.基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款超宽带无源双平衡混频器单片微波集成电路(MMIC).该混频器采用环形肖特基二极管结构和两个新颖的螺旋式平行耦合微带线巴伦结构,大大提高了混频器工作带宽,减小了芯片尺寸,提高了本振(LO)到射频(RF)端口的隔离度.在片探针测试结果显示该芯片在上、下变频模式下RF和LO工作频率均为2～ 22 GHz,中频工作频率为0～4 GHz,变频损耗≤11.5 dB,LO到RF端口隔离度≥37 dB,LO输入功率为15 dBm.芯片尺寸为1.7 mm×1.0 mm.
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| 关 键 词： | GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 无源双平衡混频器 超宽带 高隔离度 |
A GaAs PHEMT Ultra Wideband Passive Double Balanced Mixer MMIC |
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| Wang Guide,Fan Jusheng.A GaAs PHEMT Ultra Wideband Passive Double Balanced Mixer MMIC[J].Semiconductor Technology,2021,46(6):451-455. |
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| Authors: | Wang Guide Fan Jusheng |
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