| 氧化铟锡与掺Fe半绝缘GaN的接触特性 |
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| 引用本文： | 卫新发,梁国松,张育民,王建峰,徐科.氧化铟锡与掺Fe半绝缘GaN的接触特性[J].半导体技术,2021,46(6):474-478. |
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| 作者姓名： | 卫新发 梁国松 张育民 王建峰 徐科 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院,合肥 230026;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米光子材料与器件重点实验室,江苏苏州215123;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米光子材料与器件重点实验室,江苏苏州215123;苏州纳维科技有限公司,江苏苏州 215123;中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院,合肥 230026;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米光子材料与器件重点实验室,江苏苏州215123;苏州纳维科技有限公司,江苏苏州 215123 |
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| 摘 要： | 氧化铟锡(ITO)透明电极能够有效提高GaN光导半导体开关的光吸收效率和电场均匀性,但如何在透明电极ITO与半绝缘GaN之间实现良好的欧姆接触是一个难题.通过在ITO和半绝缘GaN之间插入与GaN功函数相近的Ti薄层,并利用快速热退火过程加速Ti与GaN之间的反应.研究发现Ti薄层的厚度和退火温度对欧姆接触有重要影响.在Ti薄层厚度为5 nm时,随着退火温度的升高,ITO/Ti/GaN之间的接触逐渐转变为欧姆接触,且接触电阻率随之减小;但当退火温度超过700℃时,欧姆接触变差,这与ITO中的In、Sn和O元素向界面扩散有关;适当提高Ti薄层的厚度可以有效改善ITO/Ti/GaN欧姆电极的热稳定性,但过厚的Ti薄层会对GaN基光电器件的透过率产生影响.
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| 关 键 词： | 掺Fe GaN 氧化铟锡(ITO) Ti薄层 欧姆接触 热稳定性 光导半导体开关 |
Contact Characteristics of Indium Tin Oxide with Fe Doped Semi-Insulated GaN |
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| Wei Xinfa,Liang Guosong,Zhang Yumin,Wang Jianfeng,Xu Ke.Contact Characteristics of Indium Tin Oxide with Fe Doped Semi-Insulated GaN[J].Semiconductor Technology,2021,46(6):474-478. |
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| Authors: | Wei Xinfa Liang Guosong Zhang Yumin Wang Jianfeng Xu Ke |
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