| GaN HEMT外延材料表征技术研究进展 |
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| 引用本文： | 杜成林,蔡小龙,叶然,刘海军,张煜,段向阳,祝杰杰.GaN HEMT外延材料表征技术研究进展[J].半导体技术,2021,46(11):899-908. |
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| 作者姓名： | 杜成林 蔡小龙 叶然 刘海军 张煜 段向阳 祝杰杰 |
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| 作者单位： | 移动网络和移动多媒体技术国家重点实验室,广东深圳 518055;中兴通讯股份有限公司,南京 210012;中兴通讯股份有限公司,南京 210012;西安电子科技大学微电子学院,西安 710071 |
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| 摘 要： | 氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表,具有高击穿电场强度和高热导率等优异的物理特性,是制作高频微波器件和大功率电力电子器件的理想材料.GaN外延材料的质量决定了高电子迁移率晶体管(HEMT)的性能,不同材料特征的表征需要不同的测量工具和技术,进而呈现器件性能的优劣.综述了GaN HEMT外延材料的表征技术,详细介绍了几种表征技术的应用场景和近年来国内外的相关研究进展,简要总结了外延材料表征技术的发展趋势,为GaN HEMT外延层的材料生长和性能优化提供了反馈和指导.
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| 关 键 词： | 氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 外延材料 表征技术 缺陷分析 |
Research Progress on Characterization Technologies of GaN HEMT Epitaxial Materials |
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| Du Chenglin,Cai Xiaolong,Ye Ran,Liu Haijun,Zhang Yu,Duan Xiangyang,Zhu Jiejie.Research Progress on Characterization Technologies of GaN HEMT Epitaxial Materials[J].Semiconductor Technology,2021,46(11):899-908. |
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| Authors: | Du Chenglin Cai Xiaolong Ye Ran Liu Haijun Zhang Yu Duan Xiangyang Zhu Jiejie |
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