| 单晶α-氧化铝晶圆的研磨特性研究 |
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| 引用本文： | 孙书娟,季业益,陆宝山,关集俱.单晶α-氧化铝晶圆的研磨特性研究[J].机床与液压,2021,49(18):51-54. |
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| 作者姓名： | 孙书娟 季业益 陆宝山 关集俱 |
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| 作者单位： | 苏州建设交通高等职业技术学校轨道交通工程系,江苏苏州215103;苏州工业职业技术学院精密制造工程系,江苏苏州215104 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金青年科学基金项目（51805345）；江苏省自然科学基金青年基金项目（BK20170373）；江苏高校“青蓝工程”资助项目（2019） |
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| 摘 要： | 开发微孔陶瓷研磨装置,并制备GC磨料和C磨料研磨盘,分别对单晶α-氧化铝晶圆进行研磨加工试验。试验结果表明:与C磨料研磨盘相比,GC磨料研磨盘对单晶α-氧化铝晶圆的研磨效果更佳;使用GC磨料研磨盘研磨10 min后,晶圆材料去除率为1.05～1.15μm/min,表面粗糙度S_a达15～16 nm;在研磨40～50 min时,研磨盘的研磨效率下降,晶圆材料去除率增加至1.4～1.5μm/min,但表面粗糙度S_a仅提高至15.5～16.5 nm。尽管如此,在保证表面加工质量的前提下,晶圆的材料去除率仍能达到1μm/min以上的工业加工标准,表明所开发的微孔陶瓷研磨装置能够较好地满足单晶α-氧化铝晶圆的研磨加工要求。
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| 关 键 词： | 陶瓷研磨装置 GC/C磨料研磨盘 单晶α-氧化铝晶圆 研磨特性 |
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