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| 表面杂质浓度分布对晶体管负阻特性的影响 | |
| 引用本文： | 裴素华,薛成山,赵善麒.表面杂质浓度分布对晶体管负阻特性的影响[J].半导体学报,1998,19(3):202-205. |
| 作者姓名： | 裴素华 薛成山 赵善麒 |
| 作者单位： | 山东师范大学，北京电子新技术研究开发中心 |
| 摘 要： | 本文对镓、镓－硼两种基区的３ＤＤ２０２型晶体管负阻摆幅现象进行了比较和理论分析，证明了基区表面杂质浓度分布对器件发射极－集电极电压负阻特性有较大影响．找到了改善晶体管击穿特性的具体措施 |
| 关 键 词： | 晶体管 表面杂质 浓度分布 负阻特性 |
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