| 大功率外腔半导体激光器的研究 |
| |
| 引用本文： | 董启明,潘仲琦,张汉一,杨今强,周炳琨. 大功率外腔半导体激光器的研究[J]. 中国激光, 1998, 25(7): 584-586 |
| |
| 作者姓名： | 董启明 潘仲琦 张汉一 杨今强 周炳琨 |
| |
| 作者单位： | 清华大学电子工程系 |
| |
| 摘 要： | 介绍了一种用光栅作为外反馈元件，采用普通大功率半导体激光器管芯作为增益介质的方案。实验中实现了输出功率大于７０ｍＷ，边模抑制比大于３０ｄＢ。并对影响大功率外腔半导体激光器特性的参数进行了分析
|
| 关 键 词： | 大功率，外腔，半导体激光器 |
| 收稿时间： | 1997-04-14 |
High Power External Cavity Semiconductor Laser |
| |
| Dong Qiming Pan Zhongqi Zhang Hanyi Yang Jinqiang Zhou Bingkun. High Power External Cavity Semiconductor Laser[J]. Chinese Journal of Lasers, 1998, 25(7): 584-586 |
| |
| Authors: | Dong Qiming Pan Zhongqi Zhang Hanyi Yang Jinqiang Zhou Bingkun |
| |
| Abstract: | The high power external cavity semiconductor laser has become an important optoelectronic device. In this paper, using a grating as the feedback component, a laser of single frequency output over 70 mW and side mode suppression over 30 dB is reported. Meanwhile, some parameters which influence the performance of the high power external cavity laser are analyzed. |
| |
| Keywords: | high power external cavity semiconductor laser |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
