| 1064nm RCE探测器光电响应特性分析 |
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| 引用本文： | 彭红玲,章昊,韩勤,杨晓红,杜云,倪海桥,佟存柱,牛智川,郑厚植,吴荣汉.1064nm RCE探测器光电响应特性分析[J].半导体学报,2005,26(8). |
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| 作者姓名： | 彭红玲 章昊 韩勤 杨晓红 杜云 倪海桥 佟存柱 牛智川 郑厚植 吴荣汉 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 对1064nm谐振腔增强型(RCE)光电探测器(PD)的光电响应特性进行了分析研究.利用MBE生长技术得到有源区分别为量子阱和量子点的1064nm RCE探测器的外延片,并对制作的探测器进行了各种光电特性测试.结果表明量子阱结构的RCE探测器量子效率峰值达到57%,谱线半宽6～7nm,峰值波长1059nm;而量子点结构的RCE探测器量子效率峰值达到30%,谱线半宽5nm,峰值波长1056nm.通过分析量子效率和吸收系数之间的关系,对两种结构器件的吸收进行了比较,发现虽然量子点探测器的吸收小,但通过合理设计共振腔等方法也可以达到较高的量子效率.两种结构的器件都有很好的I-V特性.
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| 关 键 词： | 谐振腔增强型 光电探测器 量子阱 量子点 |
Performance of 1064nm RCE Photodetectors |
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| Peng Hongling,Zhang Hao,HAN Qin,Yang Xiaohong,Du Yun,Ni Haiqiao,Tong Cunzhu,Niu Zhichuan,Zheng Houzhi,Wu Ronghan.Performance of 1064nm RCE Photodetectors[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(8). |
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| Authors: | Peng Hongling Zhang Hao HAN Qin Yang Xiaohong Du Yun Ni Haiqiao Tong Cunzhu Niu Zhichuan Zheng Houzhi Wu Ronghan |
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