| 大功率GaInP/AlGaInP半导体激光器 |
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| 引用本文： | 徐云,郭良,曹青,宋国峰,甘巧强,杨国华,李玉璋,陈良惠.大功率GaInP/AlGaInP半导体激光器[J].半导体学报,2005,26(11). |
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| 作者姓名： | 徐云 郭良 曹青 宋国峰 甘巧强 杨国华 李玉璋 陈良惠 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,北京,100083
2. 中国科学院半导体研究所,北京,100083;惠州市中科光电有限公司,惠州,516023 |
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| 摘 要： | 制备了大功率实折射率GaInP/AlGaInP压应变分别限制量子阱激光器.所用外延材料在15°偏角的GaAs衬底上由有机金属气相外延一次外延生长得到.制备的激光器具有双沟脊波导结构,条宽和腔长分别为3和900μm,前后端面分别蒸镀5%的增透膜和95%的高反膜.分析了室温连续激射时激光器的光电输出性能.阈值电流的典型值为32mA,光学灾变阈值为88mW,功率为80mW时的工作电流为110mA,斜率效率为1W/A,串联电阻为3Ω.基横模光输出功率可达60mW,60mW时的平行结和垂直结的远场发散角分别为10°和32°,激射波长为658.4nm.器件的内损耗为4.1cm-1,内量子效率达80%,透明电流密度为648A/cm2.
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| 关 键 词： | 半导体激光器 AlGaInP可见光激光器 应变量子阱 |
Characteristic Analysis on High Power GaInP/AlGalnP Semiconductor Laser Diodes |
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| Xu Yun,Guo Liang,Cao Qing,Song Guofeng,Gan Qiaoqiang,Yang Guohua,Li Yuzhang,Chen Lianghui.Characteristic Analysis on High Power GaInP/AlGalnP Semiconductor Laser Diodes[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(11). |
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| Authors: | Xu Yun Guo Liang Cao Qing Song Guofeng Gan Qiaoqiang Yang Guohua Li Yuzhang Chen Lianghui |
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