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| 生长条件及退火处理对磷化铟单晶结构完整性的影响 | |
| 引用本文： | 赵有文,董宏伟. 生长条件及退火处理对磷化铟单晶结构完整性的影响[J]. 半导体学报, 2005, 26(Z1) |
| 作者姓名： | 赵有文 董宏伟 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 2. 中国科学院物理研究所,北京,100080 |
| 摘 要： | 利用X射线双晶衍射(XRD)技术研究了原生及退火处理后的磷化铟单晶的晶格完整性.原生磷化铟单晶中由于存在着大量的位错和高的残留热应力,导致晶格产生很大的畸变,表现为XRD半峰宽的值较高并且分布不均匀,甚至有些原生的磷化铟单晶片出现XRD双峰等.通过降低晶体生长过程的温度梯度,降低位错密度并减小晶体中的残留热应力可以提高晶体的完整性.利用高温退火处理也可有效地降低磷化铟晶体中的残留热应力.对磷化铟晶体生长过程中熔体的配比、掺杂浓度等条件对结构完整性的影响进行了分析. |
| 关 键 词： | 磷化铟 缺陷 X射线衍射 |
Influence of Growth and Annealing Conditions on Perfection of InP Single Crystals |
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| Zhao Youwen,Dong Hongwei. Influence of Growth and Annealing Conditions on Perfection of InP Single Crystals[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(Z1) | |
| Authors: | Zhao Youwen Dong Hongwei |
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