| 低能离子束方法制备Mn-Si薄膜 |
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| 引用本文： | 刘力锋,陈诺夫,柴春林,杨少延,刘志凯.低能离子束方法制备Mn-Si薄膜[J].半导体学报,2005,26(Z1). |
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| 作者姓名： | 刘力锋 陈诺夫 柴春林 杨少延 刘志凯 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083
2. 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院力学研究所,国家微重力实验室,北京,100080 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用低能离子束技术,获得了Mn组分渐变的Mn-Si薄膜.利用俄歇电子能谱法分析了样品的组分特性,X射线衍射法和原子力显微镜法分析了样品的结构和形貌特性.测试结果表明,300℃下制备的样品Mn离子的注入深度要比室温下制备的样品深.室温下制备的Mn-Si薄膜结构呈非晶态.300℃下制备的Mn-Si薄膜发生晶化现象,没有新相形成,成功制备了Mn-Si固溶体薄膜.
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| 关 键 词： | 低能离子束 硅 锰 X射线衍射 |
Mn-Si Films Fabricated by Low Energy Ion Beam Deposition |
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| Liu Lifeng,Chen Nuofu,Chai Chunlin,Yang Shaoyan,Liu Zhikai.Mn-Si Films Fabricated by Low Energy Ion Beam Deposition[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(Z1). |
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| Authors: | Liu Lifeng Chen Nuofu Chai Chunlin Yang Shaoyan Liu Zhikai |
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