| 运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应 |
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| 引用本文： | 陆妩,任迪远,郭旗,余学峰,艾尔肯.运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应[J].半导体学报,2005,26(7). |
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| 作者姓名： | 陆妩 任迪远 郭旗 余学峰 艾尔肯 |
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| 作者单位： | 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011 |
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| 摘 要： | 对几种不同类型(TTL,CMOS,JFET-Bi,MOS-Bi)的典型星用运算放大器在不同剂量率(100,10,1及0.01rad(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究.结果显示不同类型运放电路的辐照响应有明显差异:双极运放电路辐照剂量率越小,其损伤越大;CMOS运放电路对不同剂量率的响应并非线性关系,但不同剂量率辐照损伤的差异,可以通过与低剂量率相同时间的室温退火得到消除,本质上仍然是与时间相关的效应;JFET输入运放不仅有低剂量率辐照损伤增强效应存在,且辐照后还有明显的"后损伤"现象;PMOS输入运放的结果则表明,各辐照剂量率间的损伤无明显区别.
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| 关 键 词： | 运算放大器 60Coγ辐照 退火 剂量率效应 |
Radiation Effects of Operational Amplifier in Different Dose Rates |
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| LU Wu,REN Diyuan,Guo Qi,Yu Xuefeng,Erkin.Radiation Effects of Operational Amplifier in Different Dose Rates[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(7). |
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| Authors: | LU Wu REN Diyuan Guo Qi Yu Xuefeng Erkin |
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| Keywords: | |
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