| N-Al共掺ZnO薄膜的p型传导特性 |
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| 引用本文： | 吕建国,叶志镇,诸葛飞,曾昱嘉,赵炳辉,朱丽萍.N-Al共掺ZnO薄膜的p型传导特性[J].半导体学报,2005,26(4). |
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| 作者姓名： | 吕建国 叶志镇 诸葛飞 曾昱嘉 赵炳辉 朱丽萍 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 摘 要： | 利用直流反应磁控溅射技术制得N-Al共掺的p型ZnO薄膜,N2O为生长气氛.利用X射线衍射(XRD),Hall实验,X射线光电子能谱(XPS)和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究.结果表明,薄膜中Al的存在显著提高了N的掺杂量,N以N-Al键的形式存在.N-Al共掺ZnO薄膜具有优良的p型传导特性.当Al含量为0.15wt%时,共掺ZnO薄膜的电学性能取得最优值,载流子浓度为2.52×1017cm-3,电阻率为57.3Ω·cm,Han迁移率为0.43cm2/(V·s).N-Al共掺p型ZnO薄膜具有高度c轴取向,在可见光区域透射率高达90%.
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| 关 键 词： | N-Al共掺ZnO薄膜 p型传导 N2O生长气氛 直流反应磁控溅射 |
p-Type Conduction in N-Al Codoped ZnO Thin Films |
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| LU Jianguo,YE Zhizhen,Zhuge Fei,Zeng Yujia,Zhao Binghui,Zhu Liping.p-Type Conduction in N-Al Codoped ZnO Thin Films[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(4). |
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| Authors: | LU Jianguo YE Zhizhen Zhuge Fei Zeng Yujia Zhao Binghui Zhu Liping |
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