| GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为 |
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| 引用本文： | 刘超,高兴国,李建平,曾一平,李晋闽.GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为[J].半导体学报,2005,26(6). |
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| 作者姓名： | 刘超 高兴国 李建平 曾一平 李晋闽 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083
2. 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083;北京师范大学物理系,北京,100875 |
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| 摘 要： | 在SIMOX SOI超薄硅衬底上外延生长了高质量SiGe合金薄膜来制备SGOI(SiGe on insulator)样品,并研究了其在1050℃氧化气氛中的高温退火行为.用Raman,DCXRD,RBS和光学显微镜等分析手段对SGOI样品在退火前后的性能进行了表征.分析结果表明:SGOI样品表面的穿透位错密度约为5×105cm-2;高温退火处理可以促进SGOI样品中异质外延生长SiGe合金薄膜的弛豫化和超薄Si夹层向SiGe合金薄膜的转化,进一步提高SiGe薄膜的晶体质量,并且有助于获得高Ge组分的SGOI材料.
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| 关 键 词： | MBE 绝缘体上硅锗 退火行为 |
Annealing Behavior of SGOI Thin Films Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy |
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| Liu Chao,Gao Xingguo,Li Jianping,Zeng Yiping,Li Jinmin.Annealing Behavior of SGOI Thin Films Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(6). |
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| Authors: | Liu Chao Gao Xingguo Li Jianping Zeng Yiping Li Jinmin |
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