| 大功率倒装结构GaN LED p电极研究 |
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| 引用本文： | 伊晓燕,马龙,郭金霞,王良臣,李晋闽.大功率倒装结构GaN LED p电极研究[J].半导体学报,2005,26(Z1). |
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| 作者姓名： | 伊晓燕 马龙 郭金霞 王良臣 李晋闽 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 摘 要： | 从接触电阻、反射率、电流扩展等方面对Ni/Au/Ag,ITO/Ag,Ag等多种倒装结构p电极金属体系进行分析比较,给出了实现倒装结构大功率GaN LED p电极的多种设计方案.指出Ni/Au金属化体系在大功率LED应用中存在的热稳定性问题及Ru,Ir等新型金属体系实现GaN p电极接触的潜在优势.
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| 关 键 词： | 大功率 倒装结构 LED p电极 高反射 接触电阻 |
Investigation of p-Electrode in High Power GaN-LED Application |
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| Yi Xiaoyan,Ma Long,Guo Jinxia,Wang Liangchen,Li Jinmin.Investigation of p-Electrode in High Power GaN-LED Application[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(Z1). |
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| Authors: | Yi Xiaoyan Ma Long Guo Jinxia Wang Liangchen Li Jinmin |
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| Keywords: | |
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