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| 高压RESURF LDMOS开态击穿模型 | |
| 作者姓名： | 方健 易坤 李肇基 张波 |
| 作者单位： | 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054 |
| 摘 要： | 建立了高压RESURF LDMOS的开态击穿模型.该模型考虑了载流子的速度饱和现象和寄生双极性晶体管的影响,获得了开态下LDMOS漂移区中的电场分布.基于该模型可以计算出高压 RESURF LDMOS的电学SOA.数值模拟和实验结果部分验证了模型的正确性.该模型有助于深入理解LDMOS开态击穿的物理过程,可用于指导高压LDMOS的设计. |
| 关 键 词： | LDMOS 安全工作区 击穿电压 |
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