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| 一种简化的VBIC模型和InGaP/GaAs HBT宽带放大器设计 | |
| 作者姓名： | 孙玲玲 刘军 |
| 作者单位： | 杭州电子科技大学微电子CAD研究所,杭州,310018 |
| 摘 要： | 采用一种新的简化VBIC模型对单、多指InGaP/GaAs HBT器件进行建模.测量和模型仿真FV特性及其在多偏置条件下多频率点S参数对比结果表明,DC～9GHz频率范围内,简化后的模型可对InGaP/GaAs HBT交流小信号特性进行较好的表征.利用建立的模型设计出DC～9GHz两级直接耦合宽带放大器,该放大器增益达到19dB,输入、输出回波损耗分别低于-10dB和-8dB. |
| 关 键 词： | 简化VBIC模型 InGaP/GaAs HBT 宽带放大器 |
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