| 碳化硅表面电镀厚镍工艺研究 |
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| 引用本文： | 李强,雷程,梁庭,李永伟,周行健.碳化硅表面电镀厚镍工艺研究[J].电镀与精饰,2022,44(2):51-55. |
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| 作者姓名： | 李强 雷程 梁庭 李永伟 周行健 |
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| 作者单位： | 中北大学动态测试技术国家重点实验室,山西太原030051;中北大学动态测试技术国家重点实验室,山西太原030051;太原工业学院自动化系,山西太原030051 |
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| 基金项目： | 山西省重点研发计划项目(201903D121123);中央引导地方科技发展资金(YDZX20201400001664);山西省自然科学基金项目(201801D221203)。 |
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| 摘 要： | 为了探索碳化硅深刻蚀过程中厚镍掩膜工艺条件,依据电镀原理,设计了以镀液pH、电流密度、镀液温度为影响因素的正交试验,通过对电镀速率和镀层均匀性双指标进行综合平衡法分析,研究各因素不同水平对实验结果的影响。采用台阶仪和激光共聚焦显微镜对电镀速率、镀层均匀性以及表面形貌进行表征。结果表明:电流密度是影响电镀速率的关键因素,镀液pH主要影响镀层的均匀性,最佳电镀条件为pH在3.0~3.5之间,电流密度为20 mA?cm-2,温度为55℃。该工艺成本低、镀速高且均匀性良好,可以用于制备碳化硅深刻蚀掩膜,为碳化硅基压力传感器的加工提供了关键工艺支持。
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| 关 键 词： | 碳化硅 电镀镍 正交试验 |
Study on Plating Thick Nickel on Silicon Carbide Surface |
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| LI Qiang,LEI Cheng,LIANG Ting,LI Yongwei,ZHOU Xingjian.Study on Plating Thick Nickel on Silicon Carbide Surface[J].Plating & Finishing,2022,44(2):51-55. |
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| Authors: | LI Qiang LEI Cheng LIANG Ting LI Yongwei ZHOU Xingjian |
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| Affiliation: | (State Key Laboratory of Dynamic Measurement Technology,North University of China,Taiyuan 030051,China;Department of Automation,Taiyuan Institute of Technology,Taiyuan 030051,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon carbide nickel plating orthogonal experiment |
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