| PECVD法低温制备纳米晶硅薄膜晶化特性的Raman分析 |
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| 引用本文： | 邱胜桦,陈城钊,刘翠青,吴燕丹,李平,林璇英.PECVD法低温制备纳米晶硅薄膜晶化特性的Raman分析[J].材料研究与应用,2008,2(4):428-431. |
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| 作者姓名： | 邱胜桦 陈城钊 刘翠青 吴燕丹 李平 林璇英 |
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| 作者单位： | 1. 韩山师范学院物理与电子工程系,广东,潮州,521041
2. 韩山师范学院物理与电子工程系,广东,潮州,521041;汕头大学物理系,广东,汕头,515063 |
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| 基金项目： | 韩山师范学院扶持基金的课题
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| 摘 要： | 以SiH4与H2为气源,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较低的温度(200℃)和较高的压强(230 Pa)下,在普通的玻璃衬底上制备出沉积速率达8×10-10m/s,晶化率大于60%的纳米晶硅薄膜.利用Raman谱分析硅烷浓度和射频功率对纳米晶硅薄膜的晶化特性的影响.结果表明,薄膜的晶化率、沉积速率与硅烷浓度和射频功率存在着密切的关系.随着硅烷浓度的降低,即氢稀释率的提高,晶化率提高,而沉积速率随着射频功率的增大而增大.当硅烷体积浓度为1%、射频功率为70 W时,获得晶化率接近70%的优质纳米晶硅薄膜.
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| 关 键 词： | 纳米晶硅薄膜 晶化率 Raman谱 |
Raman analysis of crystalline properties of nano-crystalline silicon thin films prepared at low temperature by PECVD technique |
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| QIU Sheng-hu,CHEN Cheng-zhao,LIU Cui-qing,WU Yan-dan,LI Ping,LIN Xuan-ying.Raman analysis of crystalline properties of nano-crystalline silicon thin films prepared at low temperature by PECVD technique[J].Journal of Guangdong Non-Ferrous Metals,2008,2(4):428-431. |
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| Authors: | QIU Sheng-hu CHEN Cheng-zhao LIU Cui-qing WU Yan-dan LI Ping LIN Xuan-ying |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RF-PECVD |
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