GaAs微波单片集成电路中器件的精确建模 |
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引用本文: | 陈雪军,徐世晖,岑元飞,李辉,宋军,陈效建. GaAs微波单片集成电路中器件的精确建模[J]. 固体电子学研究与进展, 2001, 21(2): 126-132 |
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作者姓名: | 陈雪军 徐世晖 岑元飞 李辉 宋军 陈效建 |
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作者单位: | 南京电子器件研究所,;南京电子器件研究所,;南京电子器件研究所,;南京电子器件研究所,;南京电子器件研究所,;南京电子器件研究所, |
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摘 要: | 论述了精确模型的建立对于微波单片集成电路研制和产品开发的重要意义 ,介绍了工程模型的概念和提取模型的方法 ,给出了在南京电子器件研究所进行的 MMIC有源器件的建模实例及验证结果。
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关 键 词: | 砷化镓场效应晶体管 微波单片集成电路 精确建模 |
文章编号: | 1000-3819(2001)02-0126-07 |
修稿时间: | 1999-06-24 |
Accurate Modeling of GaAs MMIC Devices |
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Abstract: | In this paper, we emphasized the essentiality of accurate model to GaAs MMICs research and product development, and discussed the concept of engineering model and the method of extracting model. Some model extracting and model verifing examples in Nanjing Electronic Devices Institute are also presented. |
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Keywords: | GaAs FET MMIC accurate modeling |
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