S波段3.3 MW脉冲磁控管的可靠性技术研究 |
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引用本文: | 刘宇荣,李胜明,葛锐,潘峰,徐青松,陈小慧,李永明,黄俊杰,王少哲,邹建军,覃奀垚,黄浩,王琦龙.S波段3.3 MW脉冲磁控管的可靠性技术研究[J].真空电子技术,2023(3):25-27. |
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作者姓名: | 刘宇荣 李胜明 葛锐 潘峰 徐青松 陈小慧 李永明 黄俊杰 王少哲 邹建军 覃奀垚 黄浩 王琦龙 |
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作者单位: | 1.昆山国力大功率器件工业技术研究院有限公司215300;2.东南大学电子科学与工程学院210096;3.昆山国力电子有限公司215300;4.昆山国力电子科技股份有限公司215300; |
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摘 要: | 在S波段3.3 MW脉冲磁控管研制过程中,连续多支磁控管在工作比为1.05‰的条件下工作不足100 h,阳极端盖出现明显的氧化现象,经分析轴向电子轰击端盖产生局部高温是引起磁控管阳极端盖氧化的一个重要原因。本文对阴极发射体端部结构进行改进,仿真分析及实验结果证明了改进后的结构可实现对轴向电子的有效抑制。改进后的磁控管在脉冲电压为47.5 kV、脉冲电流为120 A、脉冲宽度为4.2μs、工作比为1.2‰的条件下,输出脉冲功率大于3.3 MW,磁控管已稳定工作超300 h,阳极端盖无氧化现象发生。实验结果为进一步提升磁控管技术性能及推广应用打下了良好基础。
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关 键 词: | S波段 磁控管 阳极端盖 轴向电子 氧化现象 |
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