| 纳米TiN颗粒在真空电弧反应中沉降的临界条件及其表征 |
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| 引用本文： | 曾鹏.纳米TiN颗粒在真空电弧反应中沉降的临界条件及其表征[J].真空,2000(6):12-15. |
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| 作者姓名： | 曾鹏 |
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| 作者单位： | 广东工业大学机械工程系!广东广州510643 |
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| 基金项目： | 广东省高教厅科学基金项目! (970 0 32 ) |
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| 摘 要： | 研究了在真空电弧镀膜设备中产生纳米 Ti N颗粒沉降的临界条件。结果表明 ,当真空度P>8.7× 10 - 1 Pa,即 Knudsen数 Kn>110时 ,工作台中心几乎不能沉积 Ti N薄膜 ,而在真空反应气氛中有大量纳米 Ti N颗粒形成。增大反应气体的压力和提高负偏压 ,都可以进一步细化 Ti N颗粒。用 SEM和 XRD等测试方法对颗粒的形貌及结构进行了研究 ,在实验条件下纳米 Ti N颗粒的平均尺寸为 2 8～ 35 nm,其中有少量的 Ti颗粒存在
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| 关 键 词： | 真空电弧反应 TiN 纳米颗粒 真空度 偏压 |
Critical Condition of Sedimentation and Characterization of TiN Nanograin in Vacuum Arc Reaction |
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| ZENG Peng,HU She jun,XIE Guang rong,HUANG Na can,WU Qi bai.Critical Condition of Sedimentation and Characterization of TiN Nanograin in Vacuum Arc Reaction[J].Vacuum,2000(6):12-15. |
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| Authors: | ZENG Peng HU She jun XIE Guang rong HUANG Na can WU Qi bai |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | vacuum arc reaction TiN nanograin vacuum bias volt |
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