| H+离子敏场效应传感器的SPICE模型仿真分析 |
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| 引用本文： | 高俊山,林国锋,孙真和.H+离子敏场效应传感器的SPICE模型仿真分析[J].自动化技术与应用,2007,26(1):106-107. |
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| 作者姓名： | 高俊山 林国锋 孙真和 |
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| 作者单位： | 哈尔滨理工大学,黑龙江,哈尔滨,150080 |
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| 摘 要： | 本文从离子敏场效应晶体管(ISFET)的传感机理出发,利用计算机辅助设计软件(SPICE)建立了ISFET的物理模型。借助此模型,对器件的电学行为进行了模拟,仿真结果与实验数据取得了良好的一致性。
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| 关 键 词： | 器件模型 离子敏场效应晶体管 计算机辅助设计 |
| 文章编号： | 1003-7241(2007)01-0106-03 |
| 修稿时间： | 2006年8月15日 |
The SPICE Model for H+ Ion-sensitive Field Effect Transistor |
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| GAO Jun-shan,LIN Guo-feng,SUN Zhen-he.The SPICE Model for H+ Ion-sensitive Field Effect Transistor[J].Techniques of Automation and Applications,2007,26(1):106-107. |
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| Authors: | GAO Jun-shan LIN Guo-feng SUN Zhen-he |
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| Abstract: | This paper presents a SPICE model of Ion-sensitive field effect transistor (ISFET) based on the computer aided design tool(SPICE)Simulation results are given. |
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| Keywords: | device model ion-sensitive field effect transistor(ISFET) computer aided design |
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