| Al2O3掺杂对Ba4Sm9.33Ti18O54陶瓷显微结构和介电性能的影响 |
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| 引用本文： | 姚晓刚,林慧兴,姜少虎,陈玮,罗澜.Al2O3掺杂对Ba4Sm9.33Ti18O54陶瓷显微结构和介电性能的影响[J].无机材料学报,2012(12):1266-1270. |
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| 作者姓名： | 姚晓刚 林慧兴 姜少虎 陈玮 罗澜 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
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| 摘 要： | 采用固相反应法制备了Ba4Sm9.33Ti18O54(简称BST)xwt%Al2O3(x=0~1.5)微波介质陶瓷.研究了掺杂Al2O3对BST陶瓷的显微结构和介电性能的影响.扫描电镜和能谱分析结果显示:未掺杂的BST陶瓷中有少量Sm2Ti2O7相,随着增加Al2O3掺入量,Sm2Ti2O7相消失,BST陶瓷中先后产生了BaTi4O9(x≥0.6)和BaAl2Ti5O14(x≥1.0)两种新相.介电性能测试结果表明Sm2Ti2O7相的消失以及少量BaTi4O9相的形成,能显著提高BST陶瓷的Qf值,但会降低陶瓷的介电常数.当Al2O3的掺入量从0.6wt%增加到1.0wt%时,BaTi4O9相的量逐渐增加,引起BST陶瓷的Qf值略微下降.BaAl2Ti5O14相的产生会同时降低BST陶瓷的介电常数和Qf值.掺入0.6wt%Al2O3的BST陶瓷在1340℃烧结3 h后具有最佳的介电性能:εr=74.7,Qf=10980 GHz,τf=–11.8×10-6/℃.
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| 关 键 词： | 微波介质陶瓷 Ba4Sm9.33Ti18O54 Al2O3 介电性能 |
Effects of Al2O3-doping on the Microstructure and Dielectric Properties of Ba4Sm9.33Ti18O54 Ceramics |
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| YAO Xiao-Gang,LIN Hui-Xing,JIANG Shao-Hu,CHEN Wei,LUO Lan.Effects of Al2O3-doping on the Microstructure and Dielectric Properties of Ba4Sm9.33Ti18O54 Ceramics[J].Journal of Inorganic Materials,2012(12):1266-1270. |
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| Authors: | YAO Xiao-Gang LIN Hui-Xing JIANG Shao-Hu CHEN Wei LUO Lan |
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| Affiliation: | (Shanghai Institute of Ceramics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China) |
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