| CdSe胶质量子点的电致发光特性研究 |
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| 作者姓名： | 楼腾刚 胡炼 吴东锴 杜凌霄 蔡春锋 斯剑霄 吴惠桢 |
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| 作者单位： | (1. 浙江大学 物理学系, 硅材料国家重点实验室, 杭州310027; 2. 浙江师范大学 物理系, 金华 321004) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(10974174,91021020);浙江省自然科学基金项目(Z6100117,Y1110563)~~ |
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| 摘 要： | 采用胶体化学法合成硒化镉(CdSe)胶质量子点, 在此基础上制成了以CdSe胶质量子点为有源层, 结构为ITO/ZnS/CdSe/ZnS/Al的电致发光(EL)器件. 透射电镜测量表明量子点的尺寸为4.3 nm, 扫描电子显微镜测量ZnS薄膜和Al薄膜结果显示表面均较为平整, 由器件结构的X射线衍射分析观察到了CdSe(111)、ZnS(111)等晶面的衍射, 表明器件中包含了CdSe量子点和ZnS绝缘层材料. 光致发光谱表征胶质量子点的室温发光峰位于614 nm, 电致发光测量得到器件在室温下的发光波长位于450 ~ 850 nm, 峰值在800 nm附近. 本文对电致发光机制及其与光致发光谱的区别进行了讨论.
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| 关 键 词： | CdSe 量子点 电致发光 光致发光 |
| 收稿时间： | 2012-01-06 |
| 修稿时间： | 2012-03-31 |
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