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| 雷电冲击下GIS外壳暂态电位升的研究 | |
| 作者单位： | ;1.华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室;2.中国电力科学研究院 |
| 摘 要： | 为了计算雷击GIS单相套管外引线时,GIS外壳暂态电位升高,建立了GIS电路模型。利用电磁场理论和多导体传输线理论提取了GIS主要元件参数,建立了GIS主要元件的电路模型。以某220 kV GIS智能开关设备为研究对象,计算了智能组件传感器安装处GIS外壳TEV,并进行了试验验证。所得的仿真结果为下一步智能组件端口骚扰电压的研究提供基础。 |
| 关 键 词： | 传导干扰 暂态外壳电压(TEV) 变电站 GIS建模 |
Research on GIS Transient Enclosure Voltage Under Lightning Strike |
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