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| 全新深亚微米X射线T型栅工艺 | |
| 引用本文： | 张菊芳,韩勇,彭良强,谢常青,陈大鹏,孙加兴,李兵,叶甜春,伊福庭.全新深亚微米X射线T型栅工艺[J].北京同步辐射装置年报,2001(1):142-144. |
| 作者姓名： | 张菊芳 韩勇 彭良强 谢常青 陈大鹏 孙加兴 李兵 叶甜春 伊福庭 |
| 作者单位： | [1]中国科学院高能物研究所，北京市918信箱，1OO039 [2]中国科学院微电子中心，北京市650信箱，100010 |
| 摘 要： | GaAs半导体材料可以提高器件运行速度，日益引起人们的注意，但是也给器件制造带来了许多问题。在本个，一个全新的可应用于HEMT器件的深亚微米X射线T型栅工艺被提出来，该工艺采用三层胶方法，曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的，并且取得了好的结果。 |
| 关 键 词： | GaAs 半导体材料 亚微米X射线T型栅工艺 制造 半导体器件 x射线光刻 同步辐射 砷化镓 |
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