佛斯隆介质膜的化学汽相淀积生长及其特性

“佛斯隆”(Phoslon)是一种新型介质材料(P_xN_yO_z),这种材料可以用常规的化学汽相淀积(CVD)或等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)技术制得。它不含有硅的成分,而是由氮、磷和氧组成,也有由氮磷化物组成的极端情况。这种介质材料很稳定,几乎与半导体工业中常用的所有试剂都不反应,它的介电常数可以和Si_3N_4相媲美。佛斯隆介质的击穿强度为10~7V/cm数量级,这比用CVD技术生长的Si_3N_4好得多。