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金刚石薄膜的表面金属化及与Ti薄膜的界面扩散反应的AES研究
作者姓名:郑斌 朱永法
作者单位:清华大学,北京人工晶体研究所
摘    要:利用磁控溅射的方法在金刚石薄膜表面沉积了250nm厚的金属Ti层,通过300 ̄600℃的真空热处理,促进了Ti与金刚石之间的界面扩散反应。利用俄歇电子能谱研究了Ti/金刚石薄膜界面的结合状态,发现在界面上形成了Ti的碳化物。并发现Ti与金刚石薄膜发生了大幅度的界面扩散反应,Ti元素渗入金刚石层达600nm,促进了Ti与金刚石之间形成良好的化学结合,为获得高性能的金刚石切削工具提供了可能。界面扩散反

关 键 词:金刚石  Ti  界面作用  俄歇电子能谱分析  
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