三晶体管单元1024位500毫微秒MOS随机存取存储器 |
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引用本文: | W.M.Regitz
,李经纬.三晶体管单元1024位500毫微秒MOS随机存取存储器[J].计算机工程与应用,1971(2). |
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作者姓名: | W.M.Regitz 李经纬 |
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摘 要: | 已经设计出一种作主存贮器用的半导体存贮阵列,对磁存贮工艺提出了强烈的经济竞争。本文提出的阵列是采用仅需4条互连引线的由三个最小几何尺寸MOS晶体管组成的新型高速动态存贮单元。单元集成为按512字×2位组织的带完整译码的1024位阵列。已经证明读周期或写周期为500毫微秒,存取时间为345毫微秒。在工作条件下,每位的平均功率损耗为200微瓦,每位的维持功率为30微瓦,每位的电池组功率为5微瓦。
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