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| BF2^＋注入对PMOS晶体管开启电压的影响 | |
| 引用本文： | 黄维柱,王勇,邱晓海. BF2^＋注入对PMOS晶体管开启电压的影响[J]. 微电子学与计算机, 2001, 18(3): 46-49 |
| 作者姓名： | 黄维柱 王勇 邱晓海 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所, |
| 摘 要： | 文章研究了BF2^ 注入对PMOS晶体管开启电压的影响，试验发现，在我们的工艺条件下，BF2^ 注入能量是影响PMOS管开启电压的主要因素，能量高于67．5kev的BF2^ 注入可导致开启电压正漂，而退火对开启电压正漂没有影响，F离子也没有促进B穿透。 |
| 关 键 词： | BF2^＋注入 PMOS晶体管 开启电压 CMOS器件 |
| 修稿时间： | 2000-02-26 |
+Implantation |
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| Keywords: | |
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