基于Langmuir-Blodgett法的无机纳米线取向组装与可编辑化层间设计

低维纳米材料的取向组装，是实现薄膜、涂层、陶瓷体等宏观材料性能提升的有效手段。为了实现高效且大规模的组装过程﹐研究人员开发了多种纳米线自组装方法。其中Langmuir-Blodgett（LB）方法由于取向程度高且易于操控，一直备受研究者们的喜爱﹐但此方法也存在工艺参数调控困难、组装时间较长、纳米线的普适性不强等问题。本文基于LB法﹐以一维（1D）纳米导体（Ag纳米线）与无机半导体（MoO3 纳米线和W18O49纳米线）为取向组装基本单元，详细研究与讨论了不同纳米线的组装工艺和纳米线组装中的动力学问题﹐并以此为基础,实现了纳米线同质/异质多层结构的组装。