| NMOSFET器件不同源、不同γ剂量率辐射损伤比较 |
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| 作者姓名： | 何宝平 王桂珍 周辉 罗尹虹 姜景和 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所西安市69信箱六室,陕西西安,710024;西北核技术研究所西安市69信箱六室,陕西西安,710024;西北核技术研究所西安市69信箱六室,陕西西安,710024;西北核技术研究所西安市69信箱六室,陕西西安,710024;西北核技术研究所西安市69信箱六室,陕西西安,710024 |
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| 摘 要： | 利用不同剂量率γ射线、低能(小于9MeV)质子和1MeV电子对CC4007RH、CC4011、LC54HC04RH NMOSFET进行了辐照实验,结果表明,在＋5V偏置条件下,9MeV以下质子造成的损伤总是小于60Co,而且质子能量越低,损伤越小;对于同等的吸收剂量,1MeV电子和60Co造成的损伤差别不大;在高剂量率γ射线辐射下,氧化物陷阱电荷是导致器件失效的主要原因,在接近空间低剂量率辐射环境下,LC54HC04RH电路失效的主要原因是辐射感生界面态陷阱电荷,而CC4007RH器件则是氧化物陷阱电荷.
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| 关 键 词： | γ射线 电子 质子 剂量率 辐射损伤 |
| 文章编号： | 0372-2112(2002)08-1229-03 |
| 收稿时间： | 2001-10-22 |
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