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Electric-field-induced resistive switching in a family of mott insulators: Towards a new class of RRAM memories
Authors:Cario Laurent  Vaju Cristian  Corraze Benoit  Guiot Vincent  Janod Etienne
Affiliation:Institut des Matériaux Jean Rouxel, Université de Nantes, CNRS, France.
Abstract:
Keywords:insulators  resists  switches  data storage  molecular electronics  resistive memory
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