影响非易失性内存系统性能的因素分析 |
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引用本文: | 夏飞,蒋德钧,熊劲.影响非易失性内存系统性能的因素分析[J].计算机研究与发展,2014(Z1). |
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作者姓名: | 夏飞 蒋德钧 熊劲 |
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作者单位: | 中国科学院计算技术研究所;中国科学院大学; |
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基金项目: | 国家自然科学基金项目(61379042,61221062);国家“九七三”高技术研究发展计划基金项目(2011CB302502);华为研究项目(YB2013090048);中国科学院战略性先导专项课题(XDA06010401) |
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摘 要: | 新型非易失性存储器(non-volatile memory,NVM)具有扩展性好、静态能耗低、非易失性等特点,基于NVM的内存系统有望在未来补充甚至替代DRAM内存.但是NVM写延迟较长、写耐久性有限、动态写能耗高的问题,对NVM的实际应用产生了挑战.NVM内存系统如何影响应用程序,哪些因素会影响NVM内存系统的性能,是一个值得研究的问题.初步评测了NVM内存系统的性能,所提出的NVM内存包括两种:一种是只有NVM的内存(NVM-only memory);另一种是DRAM/NVM构成的混合内存.同时对比了NVM内存与DRAM内存的性能,分析了影响NVM内存系统的因素.最后,讨论了NVM内存系统研究的未来工作.
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关 键 词: | 非易失性存储器 内存系统 性能 评测 分析 |
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