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| 半导体GaAs-(AlGa)As大光腔激光器研制简报 | |
| 引用本文： | 张兴德.半导体GaAs-(AlGa)As大光腔激光器研制简报[J].激光技术,1983,7(2):82-83. |
| 作者姓名： | 张兴德 |
| 作者单位： | 1.长春光机学院半导体研究室 |
| 摘 要： | 1962年第一个半导体GaAs激光器出现以后,引起人们的高度重视.对半导体激光器的理论、材料、器件制造工艺以及应用进行了广泛深入的研究.器件的结构从同质结、单异质结发展到双异质结;工作方式从低温下脉冲工作到1970年成功地实现了室温下连续工作.1971年RCA公司的H.Kressel等人集中了单异质结激光器的脉冲光功率大和双异质结阈值电流低等优点,从结构上把二者结合起来,实现了一种新型半导体激光器——GaAs-(AlGa)As大光腔激光器(Loc). |
| 收稿时间： | 1982-07-16 |
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