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| 窄禁带半导体光电二极管的最新进展（下） | |
| 作者姓名： | Rogae. A 贡树行 等 |
| 作者单位： | 1. 波兰华沙,军事技术大学 2. 美国西北大学,电子工程和计算机科学系,量子器件中心 |
| 摘 要： | 隧道电流和R0A乘积主要取决于掺杂浓度.图5表示77 K温度工作、一面突变的HgCdTe、PbSnTe、PbSnSe光电二极管(Eg=0.1 eV)的R0A乘积与掺杂浓度的关系.对于HgCdTe和铅盐探测器来说,要想产生高数值的RoA乘积,就分别需要1016 cm-3和1017 cm-3(或略少些)的掺杂浓度.由于要避免产生隧道效应而所能获得的最大掺杂浓度是Ⅳ族光电二极管比HgCdTe光电二极管要高一个数量级[11].这是由于前者的介电常数εs很高,因为隧道效应对RoA乘积的贡献包含着exp[常数m*εs/N)1/2Egl因子,亦即呈现指数增加的关系. |
| 关 键 词： | 窄禁带半导体光电二极管 红外探测器 |
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