| 制备工艺对CVD Si3N4涂层沉积速率的影响 |
| |
| 引用本文： | 尹立峰,王思青,张长瑞,崔岩,徐晓燕. 制备工艺对CVD Si3N4涂层沉积速率的影响[J]. 材料导报, 2008, 22(Z1) |
| |
| 作者姓名： | 尹立峰 王思青 张长瑞 崔岩 徐晓燕 |
| |
| 摘 要： | 采用HSiCl3-NH3-N2(稀释气体)体系在石英陶瓷基板上通过低压化学气相沉积(LPCVD)法沉积出了Si3N4涂层,研究了工艺条件对涂层沉积速率的影响.结果表明,在没有稀释气体的情况下,随着沉积温度升高,Si3N4涂层的沉积速率逐渐增加,在850℃附近达到最大值,随着反应温度的进一步升高,涂层沉积速率下降.当存在稀释气体时,在所选温度范围内随着沉积温度的升高,Si3N4涂层的沉积速率一直增大,反应的表观活化能约为222KJ/mol.随着原料中NH3/HSiCl3流量比值的增大,Si3 N4涂层的沉积速率逐渐增加,随后稳定,但稍有下降趋势.在所选稀释气体流量范围内,Si3N4涂层的沉积速率随着稀释气体流量的增加而增大.
|
| 关 键 词： | 氮化硅涂层 沉积速率 |
Effects of Preparation Technique on Deposition Rate of Silicon Nitride Coatings by Low Pressure Chemical Vapor Deposition |
| |
| YIN Lifeng,WANG Siqing,ZHANG Changrui,CUI Yan,XU Xiaoyan. Effects of Preparation Technique on Deposition Rate of Silicon Nitride Coatings by Low Pressure Chemical Vapor Deposition[J]. Materials Review, 2008, 22(Z1) |
| |
| Authors: | YIN Lifeng WANG Siqing ZHANG Changrui CUI Yan XU Xiaoyan |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | LPCVD |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
