一种新型MOS变容管在射频压控振荡器中的应用 |
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引用本文: | 潘瑞,毛军发. 一种新型MOS变容管在射频压控振荡器中的应用[J]. 微电子学, 2003, 33(3): 207-210 |
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作者姓名: | 潘瑞 毛军发 |
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作者单位: | 上海交通大学,电子工程系,上海,200030 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(69971015),上海市优秀学科带头人基金资助 |
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摘 要: | 基于0.5μm工艺,设计了一个工作频率在1.8GHz,相位噪声在偏移量为500kHz时小于-100dBc/Hz的压控振荡器(VCO)。并将一个普通的压控MOS变容管改进为只工作在反型区的压控MOS变容管。将这两种MOS电容分别应用到该VCO电路中。结果表明,采用反型模式压控MOS变容管的VCO电路具有更大的调谐范围,调谐曲线由之前的反复变化变为单调变化,并且对电路的相位噪声也起到了抑制作用。
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关 键 词: | 射频电路 压控振荡器 MOS变容管 相位噪卢 VCO 场效应管 |
文章编号: | 1004-3365(2003)03-0207-04 |
修稿时间: | 2002-06-13 |
A Novel MOS Varactor in Voltage Controlled Oscillators for RF Applications |
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Abstract: | |
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Keywords: | RF circuit Voltage controlled oscillator MOS varactor Phase noise |
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