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一种新型MOS变容管在射频压控振荡器中的应用
引用本文:潘瑞,毛军发. 一种新型MOS变容管在射频压控振荡器中的应用[J]. 微电子学, 2003, 33(3): 207-210
作者姓名:潘瑞  毛军发
作者单位:上海交通大学,电子工程系,上海,200030
基金项目:国家自然科学基金(69971015),上海市优秀学科带头人基金资助
摘    要:基于0.5μm工艺,设计了一个工作频率在1.8GHz,相位噪声在偏移量为500kHz时小于-100dBc/Hz的压控振荡器(VCO)。并将一个普通的压控MOS变容管改进为只工作在反型区的压控MOS变容管。将这两种MOS电容分别应用到该VCO电路中。结果表明,采用反型模式压控MOS变容管的VCO电路具有更大的调谐范围,调谐曲线由之前的反复变化变为单调变化,并且对电路的相位噪声也起到了抑制作用。

关 键 词:射频电路 压控振荡器 MOS变容管 相位噪卢 VCO 场效应管
文章编号:1004-3365(2003)03-0207-04
修稿时间:2002-06-13

A Novel MOS Varactor in Voltage Controlled Oscillators for RF Applications
Abstract:
Keywords:RF circuit  Voltage controlled oscillator  MOS varactor  Phase noise
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