| 脉冲激光沉积ZnO及其掺杂薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 赵跃智 张俊. 脉冲激光沉积ZnO及其掺杂薄膜的研究[J]. 中国材料科技与设备, 2007, 4(4): 44-45,49 |
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| 作者姓名： | 赵跃智 张俊 |
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| 作者单位： | 洛阳理工学院材料系,河南洛阳471000 |
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| 摘 要： | 本文用脉冲激光沉积（PLD）法在SiO2基片上制备了ZnO薄膜和Zn1-xMnxO薄膜。X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计对ZnO薄膜的测试结果表明：薄膜具有（103）面的择优取向，表面比较平坦；SiO2基片上制备的薄膜在387nm附近存在明显的吸收边，且薄膜的吸收对基片温度变化不明显。通过对Zn1-xMnxO薄膜的吸收光谱分析得出：Mn离子的掺杂改变了ZnO薄膜的禁带宽度，随Mn离子的掺杂量的增加，薄膜禁带宽度增加；薄膜的光吸收也从直接跃迁过渡为间接跃迁过程。
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| 关 键 词： | PLD ZnO薄膜 Zn1-xMnxO薄膜 光吸收谱 |
Investigation of ZnO and Doped ZnO Thin Films by Pulsed Laser Deposition |
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| ZHAO Yue-zhi , ZHENG Jun. Investigation of ZnO and Doped ZnO Thin Films by Pulsed Laser Deposition[J]. Chinese Materials Science Technology & Equipment, 2007, 4(4): 44-45,49 |
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| Authors: | ZHAO Yue-zhi ZHENG Jun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PLD, ZnO thin films Zn1-xMnxO thin films Absorption spectra |
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